Исследователи из Технологического университета Хельсинки (Финляндия) в сотрудничестве со своими коллегами из университетов Нового Южного Уэльса (Австралия) и Мельбурна (Австралия), успешно создали работающий транзистор с активной областью, состоящей из одного атома фосфора в кремнии.
Принцип работы устройства базируется на последовательном туннелировании отдельных электронов. Туннелирование может быть подавлено или открыто при помощи контроля напряжения на металлическом электроде шириной всего в несколько десятков нанометров.
